Технічний опис K6X1008C2DDF55 SAMSUNG
Статична пам'ять SRAM, Uживл, В = 4,5...5,5, Об. пам. = 128 Кбайт, Орг. пам. = 128К х 8, Тдост/Частота = 55 нс, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-32 Од. вим: шт, кількість в упаковці: 100 шт.
Інші пропозиції K6X1008C2DDF55
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| K6X1008C2D-DF55 | Виробник : SAMSUNG | DIP32 |
на замовлення 5214 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| K6X1008C2D-DF55 | Виробник : Samsung |
 Група товару: Мікросхеми пам'яті Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||
| K6X1008C2D-DF55 | Виробник : Samsung |
Статична пам'ять SRAM, Uживл, В = 4,5...5,5, Об. пам. = 128 Кбайт, Орг. пам. = 128К х 8, Тдост/Частота = 55 нс, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-32 Од. вим: шт кількість в упаковці: 100 шт |
товару немає в наявності |