Продукція > SAMSUNG > K6X8008T2BUF55

K6X8008T2BUF55 SAMSUNG


Виробник: SAMSUNG

на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис K6X8008T2BUF55 SAMSUNG

Статична пам'ять SRAM, Uживл, В = 3,0...3,6, Об. пам. = 8 Мбіт, Орг. пам. = 1M x 8, Тдост/Частота = 55 нс, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOPII-44 Од. вим: шт, кількість в упаковці: 100 шт.

Інші пропозиції K6X8008T2BUF55

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
K6X8008T2B-UF55 Samsung ds_k6x8008t2b_rev20.pdf (TSOP2-F-44,SRAM,8#1M,55nS,-40..+85 ) Мікросхеми пам'яті
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
K6X8008T2B-UF55 Samsung K6X8008T2B_Samsung.pdf Статична пам'ять SRAM, Uживл, В = 3,0...3,6, Об. пам. = 8 Мбіт, Орг. пам. = 1M x 8, Тдост/Частота = 55 нс, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOPII-44 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
K6X8008T2B-UF55 ds_k6x8008t2b_rev20.pdf
Виробник: Samsung
(TSOP2-F-44,SRAM,8#1M,55nS,-40..+85 ) Мікросхеми пам'яті
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
K6X8008T2B-UF55 K6X8008T2B_Samsung.pdf
Виробник: Samsung
Статична пам'ять SRAM, Uживл, В = 3,0...3,6, Об. пам. = 8 Мбіт, Орг. пам. = 1M x 8, Тдост/Частота = 55 нс, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOPII-44 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.