KIT33887DWBEVB NXP Semiconductors


pgurl_110685801236987.pdf Виробник: NXP Semiconductors
Power Management Development Kit
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис KIT33887DWBEVB NXP Semiconductors

Description: KIT EVAL 33887 5A H-BRIDGE SOIC, Packaging: Bulk, Function: H-Bridge Driver (Internal FET), Type: Power Management, Utilized IC / Part: MC33887, Supplied Contents: Board(s), Primary Attributes: 5A, 5 ~ 28V, PWM to 20kHz, Active Current Limit, Embedded: No.

Інші пропозиції KIT33887DWBEVB

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
KIT33887DWBEVB Виробник : NXP USA Inc. MC33887.pdf Description: KIT EVAL 33887 5A H-BRIDGE SOIC
Packaging: Bulk
Function: H-Bridge Driver (Internal FET)
Type: Power Management
Utilized IC / Part: MC33887
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: 5A, 5 ~ 28V, PWM to 20kHz, Active Current Limit
Embedded: No
товар відсутній