LGD8201TH LITTELFUSE


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBAEA935F820F620C7&compId=LGD8201TH.pdf?ci_sign=18be41cfbe82090a0e972e52b61fbd8047341f2f Виробник: LITTELFUSE
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 400V; 20A; 125W; DPAK; Features: logic level; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 20A
Power dissipation: 125W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±15V
Pulsed collector current: 50A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: ignition systems
Version: ESD
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис LGD8201TH LITTELFUSE

Category: SMD IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 400V; 20A; 125W; DPAK; Features: logic level; ESD, Type of transistor: IGBT, Collector-emitter voltage: 400V, Collector current: 20A, Power dissipation: 125W, Case: DPAK, Gate-emitter voltage: ±15V, Pulsed collector current: 50A, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Application: ignition systems, Version: ESD, Features of semiconductor devices: logic level, кількість в упаковці: 2500 шт.

Інші пропозиції LGD8201TH

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
LGD8201TH Виробник : IXYS Description: DPAK, IGBT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 4.5V, 20A
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 440 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A
Power - Max: 125 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGD8201TH Виробник : LITTELFUSE pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBAEA935F820F620C7&compId=LGD8201TH.pdf?ci_sign=18be41cfbe82090a0e972e52b61fbd8047341f2f Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 400V; 20A; 125W; DPAK; Features: logic level; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 20A
Power dissipation: 125W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±15V
Pulsed collector current: 50A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: ignition systems
Version: ESD
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.