Продукція > IXYS > LGD8201TH

LGD8201TH IXYS


Виробник: IXYS
Description: DPAK, IGBT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 4.5V, 20A
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 440 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A
Power - Max: 125 W
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис LGD8201TH IXYS

Description: DPAK, IGBT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Logic, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 4.5V, 20A, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 20 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 440 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A, Power - Max: 125 W.

Інші пропозиції LGD8201TH

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
LGD8201TH Виробник : LITTELFUSE LGD8201TH.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 400V; 20A; 125W; DPAK; Features: logic level; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 20A
Power dissipation: 125W
Case: DPAK
Pulsed collector current: 50A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
Gate-emitter voltage: ±15V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.