Продукція > LUGUANG ELECTRONIC > LGE3D20065D

LGE3D20065D LUGUANG ELECTRONIC

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB5917615FA7D00D6&compId=LGE3D20065D.pdf?ci_sign=e92352267ed66fe7d27bdb9d15f91c5e6e274e52

Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; Ir: 10uA
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.65V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 160A
Leakage current: 10µA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис LGE3D20065D LUGUANG ELECTRONIC

Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; Ir: 10uA, Case: TO247-3, Mounting: THT, Kind of package: tube, Max. forward voltage: 1.65V, Load current: 10A x2, Semiconductor structure: common cathode; double, Max. forward impulse current: 160A, Leakage current: 10µA, Type of diode: Schottky rectifying, Technology: SiC, Max. off-state voltage: 650V, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції LGE3D20065D

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	LGE3D20065D	Виробник : LUGUANG ELECTRONIC	Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; Ir: 10uA Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Max. forward voltage: 1.65V Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Max. forward impulse current: 160A Leakage current: 10µA Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Max. off-state voltage: 650V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.