Продукція > LUGUANG ELECTRONIC > LGE3D20120D

LGE3D20120D LUGUANG ELECTRONIC

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB59182217E7440D6&compId=LGE3D20120D.pdf?ci_sign=52f6d4745eeb34f8e0f124ed252375234126d85b

Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 2V
Max. forward impulse current: 160A
Kind of package: tube
Leakage current: 30µA
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис LGE3D20120D LUGUANG ELECTRONIC

Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; tube, Type of diode: Schottky rectifying, Technology: SiC, Mounting: THT, Max. off-state voltage: 1.2kV, Load current: 10A x2, Semiconductor structure: common cathode; double, Case: TO247-3, Max. forward voltage: 2V, Max. forward impulse current: 160A, Kind of package: tube, Leakage current: 30µA, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції LGE3D20120D

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	LGE3D20120D	Виробник : LUGUANG ELECTRONIC	Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Case: TO247-3 Max. forward voltage: 2V Max. forward impulse current: 160A Kind of package: tube Leakage current: 30µA	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.