Продукція > LUGUANG ELECTRONIC > LGE3D20120H

LGE3D20120H LUGUANG ELECTRONIC

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB59140929B7680D6&compId=LGE3D20120H.pdf?ci_sign=fe727f90328e727d55a3978da8145e78d0c5c42c

Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; Ufmax: 2V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 2V
Max. forward impulse current: 130A
Kind of package: tube
Max. load current: 100A
Leakage current: 50µA
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис LGE3D20120H LUGUANG ELECTRONIC

Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; Ufmax: 2V, Type of diode: Schottky rectifying, Technology: SiC, Mounting: THT, Max. off-state voltage: 1.2kV, Load current: 20A, Semiconductor structure: single diode, Case: TO247-2, Max. forward voltage: 2V, Max. forward impulse current: 130A, Kind of package: tube, Max. load current: 100A, Leakage current: 50µA, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції LGE3D20120H

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	LGE3D20120H	Виробник : LUGUANG ELECTRONIC	Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; Ufmax: 2V Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Case: TO247-2 Max. forward voltage: 2V Max. forward impulse current: 130A Kind of package: tube Max. load current: 100A Leakage current: 50µA	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.