LGE3D20170H LUGUANG ELECTRONIC

Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 20A; TO247-2; Ir: 50uA
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. load current: 140A
Max. forward voltage: 2.3V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 190A
Leakage current: 50µA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.7kV
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис LGE3D20170H LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 20A; TO247-2; Ir: 50uA, Case: TO247-2, Mounting: THT, Kind of package: tube, Max. load current: 140A, Max. forward voltage: 2.3V, Load current: 20A, Semiconductor structure: single diode, Max. forward impulse current: 190A, Leakage current: 50µA, Type of diode: Schottky rectifying, Technology: SiC, Max. off-state voltage: 1.7kV, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції LGE3D20170H
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
LGE3D20170H | Виробник : LUGUANG ELECTRONIC |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 20A; TO247-2; Ir: 50uA Case: TO247-2 Mounting: THT Kind of package: tube Max. load current: 140A Max. forward voltage: 2.3V Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 190A Leakage current: 50µA Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Max. off-state voltage: 1.7kV |
товару немає в наявності |