Продукція > LUGUANG ELECTRONIC > LGE3D30065H

LGE3D30065H LUGUANG ELECTRONIC

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB59147E3F85A40D6&compId=LGE3D30065H.pdf?ci_sign=3d953d20f4ad4a0818229449c33985135ccf61ae

Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30A; TO247-2; Ir: 15uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.78V
Max. forward impulse current: 210A
Leakage current: 15µA
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис LGE3D30065H LUGUANG ELECTRONIC

Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30A; TO247-2; Ir: 15uA, Type of diode: Schottky rectifying, Technology: SiC, Mounting: THT, Max. off-state voltage: 650V, Load current: 30A, Semiconductor structure: single diode, Case: TO247-2, Max. forward voltage: 1.78V, Max. forward impulse current: 210A, Leakage current: 15µA, Kind of package: tube, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції LGE3D30065H

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	LGE3D30065H	Виробник : LUGUANG ELECTRONIC	Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30A; TO247-2; Ir: 15uA Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 30A Semiconductor structure: single diode Case: TO247-2 Max. forward voltage: 1.78V Max. forward impulse current: 210A Leakage current: 15µA Kind of package: tube	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.