LGEGB15N65T2 LUGUANG ELECTRONIC
Виробник: LUGUANG ELECTRONICCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO263
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 40ns
Turn-off time: 150ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
на замовлення 621 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 50.37 грн |
| 10+ | 42.18 грн |
| 25+ | 37.50 грн |
| 100+ | 34.74 грн |
| 400+ | 32.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис LGEGB15N65T2 LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO263, Type of transistor: IGBT, Power dissipation: 125W, Case: TO263, Mounting: SMD, Gate charge: 45nC, Kind of package: reel; tape, Collector-emitter voltage: 650V, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, Turn-on time: 40ns, Turn-off time: 150ns, Collector current: 15A, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 60A, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції LGEGB15N65T2 за ціною від 38.28 грн до 60.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
LGEGB15N65T2 | Виробник : LUGUANG ELECTRONIC |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO263 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 125W Case: TO263 Mounting: SMD Gate charge: 45nC Kind of package: reel; tape Collector-emitter voltage: 650V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-on time: 40ns Turn-off time: 150ns Collector current: 15A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 621 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|