LGEGB15N65T2 LUGUANG ELECTRONIC
Виробник: LUGUANG ELECTRONICCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO263
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 40ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 708 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 45.30 грн |
| 11+ | 38.17 грн |
| 25+ | 33.81 грн |
| 100+ | 31.35 грн |
| 400+ | 29.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис LGEGB15N65T2 LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO263, Type of transistor: IGBT, Power dissipation: 125W, Case: TO263, Mounting: SMD, Gate charge: 45nC, Kind of package: reel; tape, Turn-off time: 150ns, Turn-on time: 40ns, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, Collector current: 15A, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 60A, Collector-emitter voltage: 650V, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції LGEGB15N65T2 за ціною від 35.33 грн до 54.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
LGEGB15N65T2 | Виробник : LUGUANG ELECTRONIC |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO263 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 125W Case: TO263 Mounting: SMD Gate charge: 45nC Kind of package: reel; tape Turn-off time: 150ns Turn-on time: 40ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Collector current: 15A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Collector-emitter voltage: 650V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 708 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|