Продукція > LUGUANG ELECTRONIC > LGEGB15N65T2
LGEGB15N65T2

LGEGB15N65T2 LUGUANG ELECTRONIC

LGEGx15N65.pdf
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO263
Type of transistor: IGBT
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 45nC
Turn-on time: 40ns
Turn-off time: 150ns
Power dissipation: 125W
на замовлення 603 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+51.48 грн
10+42.85 грн
25+38.24 грн
100+35.39 грн
400+33.21 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис LGEGB15N65T2 LUGUANG ELECTRONIC

Category: SMD IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO263, Type of transistor: IGBT, Case: TO263, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Collector current: 15A, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 60A, Collector-emitter voltage: 650V, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, Gate charge: 45nC, Turn-on time: 40ns, Turn-off time: 150ns, Power dissipation: 125W.