Продукція > LUGUANG ELECTRONIC > LGEGB15N65T2
LGEGB15N65T2

LGEGB15N65T2 LUGUANG ELECTRONIC

LGEGx15N65.pdf
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO263
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 15A
Power dissipation: 125W
Case: TO263
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 40ns
Turn-off time: 150ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 558 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+50.58 грн
10+42.18 грн
25+37.57 грн
100+34.80 грн
400+32.71 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 14-30 дні (днів)
Мінімальна партія: 9 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис LGEGB15N65T2 LUGUANG ELECTRONIC

Category: SMD IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO263, Type of transistor: IGBT, Collector-emitter voltage: 650V, Collector current: 15A, Power dissipation: 125W, Case: TO263, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 60A, Mounting: SMD, Gate charge: 45nC, Kind of package: reel; tape, Turn-on time: 40ns, Turn-off time: 150ns, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode.