Продукція > LUGUANG ELECTRONIC > LGEGB15N65T2
LGEGB15N65T2

LGEGB15N65T2 LUGUANG ELECTRONIC

LGEGx15N65.pdf
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO263
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 40ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 608 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+49.82 грн
11+41.72 грн
25+37.18 грн
100+34.40 грн
400+32.30 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис LGEGB15N65T2 LUGUANG ELECTRONIC

Category: SMD IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO263, Type of transistor: IGBT, Power dissipation: 125W, Case: TO263, Mounting: SMD, Gate charge: 45nC, Kind of package: reel; tape, Turn-off time: 150ns, Turn-on time: 40ns, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, Collector current: 15A, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 60A, Collector-emitter voltage: 650V.