Продукція > LUGUANG ELECTRONIC > LGEGB15N65T2
LGEGB15N65T2

LGEGB15N65T2 LUGUANG ELECTRONIC

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD098F724680BA880E1&compId=LGEGx15N65.pdf?ci_sign=32af96eaa5e0f11447ba545de133a895eb50538e Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO263
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 40ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+46.77 грн
11+39.40 грн
25+34.98 грн
30+31.27 грн
82+29.61 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис LGEGB15N65T2 LUGUANG ELECTRONIC

Category: SMD IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 125W; TO263, Type of transistor: IGBT, Power dissipation: 125W, Case: TO263, Mounting: SMD, Gate charge: 45nC, Kind of package: reel; tape, Turn-off time: 150ns, Turn-on time: 40ns, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, Collector current: 15A, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 60A, Collector-emitter voltage: 650V.