LGEGW25N120S LUGUANG ELECTRONIC
Виробник: LUGUANG ELECTRONICCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 100W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 100W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 57ns
Turn-off time: 460ns
Collector current: 25A
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 142.27 грн |
| 10+ | 125.49 грн |
| 30+ | 116.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис LGEGW25N120S LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 100W; TO247, Type of transistor: IGBT, Power dissipation: 100W, Case: TO247, Mounting: THT, Gate charge: 130nC, Kind of package: tube, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, Turn-on time: 57ns, Turn-off time: 460ns, Collector current: 25A, Gate-emitter voltage: ±30V, Pulsed collector current: 80A, Collector-emitter voltage: 1.2kV, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції LGEGW25N120S за ціною від 127.56 грн до 204.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
LGEGW25N120S | Виробник : LUGUANG ELECTRONIC |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 100W; TO247 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 100W Case: TO247 Mounting: THT Gate charge: 130nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-on time: 57ns Turn-off time: 460ns Collector current: 25A Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 80A Collector-emitter voltage: 1.2kV кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 102 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|