Продукція > LUGUANG ELECTRONIC > LGEGW25N120S
LGEGW25N120S

LGEGW25N120S LUGUANG ELECTRONIC

LGEGW25N120S.pdf
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 100W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 100W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 460ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 57ns
на замовлення 77 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+152.56 грн
10+134.32 грн
30+124.37 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис LGEGW25N120S LUGUANG ELECTRONIC

Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 100W; TO247, Type of transistor: IGBT, Collector-emitter voltage: 1.2kV, Collector current: 25A, Power dissipation: 100W, Case: TO247, Gate-emitter voltage: ±30V, Pulsed collector current: 80A, Mounting: THT, Gate charge: 130nC, Kind of package: tube, Turn-off time: 460ns, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, Turn-on time: 57ns.