Продукція > LUGUANG ELECTRONIC > LGEGW40N120F
LGEGW40N120F

LGEGW40N120F LUGUANG ELECTRONIC

LGEGW40N120F.pdf
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 110W; TO247
Collector current: 40A
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 120A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Kind of package: tube
Turn-off time: 503ns
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Power dissipation: 110W
Gate charge: 107nC
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 134ns
на замовлення 130 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+307.22 грн
3+256.49 грн
10+226.87 грн
30+210.78 грн
120+196.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис LGEGW40N120F LUGUANG ELECTRONIC

Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 110W; TO247, Collector current: 40A, Case: TO247, Gate-emitter voltage: ±30V, Pulsed collector current: 120A, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, Kind of package: tube, Turn-off time: 503ns, Mounting: THT, Collector-emitter voltage: 1.2kV, Power dissipation: 110W, Gate charge: 107nC, Type of transistor: IGBT, Turn-on time: 134ns.