Продукція > LUGUANG ELECTRONIC > LGEGW40N120F2
LGEGW40N120F2

LGEGW40N120F2 LUGUANG ELECTRONIC

LGEGW40N120F2.pdf
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 417W; TO247
Collector current: 40A
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Kind of package: tube
Turn-off time: 270ns
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Power dissipation: 417W
Gate charge: 250nC
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 135ns
на замовлення 177 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+315.42 грн
3+264.11 грн
10+233.64 грн
30+216.71 грн
120+202.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис LGEGW40N120F2 LUGUANG ELECTRONIC

Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 417W; TO247, Collector current: 40A, Case: TO247, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 160A, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, Kind of package: tube, Turn-off time: 270ns, Mounting: THT, Collector-emitter voltage: 1.2kV, Power dissipation: 417W, Gate charge: 250nC, Type of transistor: IGBT, Turn-on time: 135ns.