Продукція > LUGUANG ELECTRONIC > LGEGW40N120F2
LGEGW40N120F2

LGEGW40N120F2 LUGUANG ELECTRONIC

LGEGW40N120F2.pdf
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 417W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 135ns
Turn-off time: 270ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 1.2kV
на замовлення 182 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+314.30 грн
3+262.00 грн
10+232.15 грн
30+214.74 грн
120+201.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис LGEGW40N120F2 LUGUANG ELECTRONIC

Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 417W; TO247, Type of transistor: IGBT, Power dissipation: 417W, Case: TO247, Mounting: THT, Gate charge: 250nC, Kind of package: tube, Turn-on time: 135ns, Turn-off time: 270ns, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 40A, Pulsed collector current: 160A, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, Collector-emitter voltage: 1.2kV.