Продукція > LUGUANG ELECTRONIC > LGEGW40N120F2
LGEGW40N120F2

LGEGW40N120F2 LUGUANG ELECTRONIC

LGEGW40N120F2.pdf
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 417W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 135ns
Turn-off time: 270ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
на замовлення 186 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+310.10 грн
3+258.65 грн
10+229.36 грн
30+212.61 грн
120+198.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис LGEGW40N120F2 LUGUANG ELECTRONIC

Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 417W; TO247, Type of transistor: IGBT, Power dissipation: 417W, Case: TO247, Mounting: THT, Gate charge: 250nC, Kind of package: tube, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, Collector-emitter voltage: 1.2kV, Turn-on time: 135ns, Turn-off time: 270ns, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 40A, Pulsed collector current: 160A.