LGEGW40N120F2 LUGUANG ELECTRONIC
Виробник: LUGUANG ELECTRONICCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 417W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 135ns
Turn-off time: 270ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 284.97 грн |
| 3+ | 238.00 грн |
| 10+ | 211.37 грн |
| 30+ | 196.04 грн |
| 120+ | 183.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис LGEGW40N120F2 LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 417W; TO247, Type of transistor: IGBT, Power dissipation: 417W, Case: TO247, Mounting: THT, Gate charge: 250nC, Kind of package: tube, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, Collector current: 40A, Collector-emitter voltage: 1.2kV, Turn-on time: 135ns, Turn-off time: 270ns, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 160A, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції LGEGW40N120F2 за ціною від 214.92 грн до 341.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| LGEGW40N120F2 | Виробник : LUGUANG ELECTRONIC |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 417W; TO247 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 417W Case: TO247 Mounting: THT Gate charge: 250nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Collector current: 40A Collector-emitter voltage: 1.2kV Turn-on time: 135ns Turn-off time: 270ns Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 141 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|