LGEGW50N65F1A

LGEGW50N65F1A LUGUANG ELECTRONIC


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD098F7348019C600E1&compId=LGEGW50N65F1A.pdf?ci_sign=8858ec95c174a9d9d63b9fb28a8b89b0b3230d80 Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 312W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 312W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 62ns
Turn-off time: 268ns
на замовлення 150 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+143.70 грн
9+112.12 грн
23+105.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис LGEGW50N65F1A LUGUANG ELECTRONIC

Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 312W; TO247, Type of transistor: IGBT, Collector-emitter voltage: 650V, Collector current: 50A, Power dissipation: 312W, Case: TO247, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 150A, Mounting: THT, Gate charge: 180nC, Kind of package: tube, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, Turn-on time: 62ns, Turn-off time: 268ns.