LGEGW50N65F1A LUGUANG ELECTRONIC
Виробник: LUGUANG ELECTRONICCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 312W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 312W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 62ns
Turn-off time: 268ns
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 147.26 грн |
| 8+ | 119.55 грн |
| 22+ | 112.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис LGEGW50N65F1A LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 312W; TO247, Type of transistor: IGBT, Collector-emitter voltage: 650V, Collector current: 50A, Power dissipation: 312W, Case: TO247, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 150A, Mounting: THT, Gate charge: 180nC, Kind of package: tube, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, Turn-on time: 62ns, Turn-off time: 268ns, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції LGEGW50N65F1A за ціною від 131.11 грн до 210.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
LGEGW50N65F1A | Виробник : LUGUANG ELECTRONIC |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 312W; TO247 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 312W Case: TO247 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Gate charge: 180nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-on time: 62ns Turn-off time: 268ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 140 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|