LGEGW50N65F1A LUGUANG ELECTRONIC
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 312W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 312W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 62ns
Turn-off time: 268ns
Gate charge: 180nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 175.28 грн |
| 10+ | 155.15 грн |
| 30+ | 143.41 грн |
| 120+ | 135.02 грн |
| 240+ | 129.99 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
14-30 дні (днів)
Мінімальна партія:
3 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис LGEGW50N65F1A LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 312W; TO247, Type of transistor: IGBT, Collector-emitter voltage: 650V, Collector current: 50A, Power dissipation: 312W, Case: TO247, Gate-emitter voltage: ±20V, Mounting: THT, Kind of package: tube, Pulsed collector current: 150A, Turn-on time: 62ns, Turn-off time: 268ns, Gate charge: 180nC, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode.