Продукція > LUGUANG ELECTRONIC > LGEGW50N65SEK
LGEGW50N65SEK

LGEGW50N65SEK LUGUANG ELECTRONIC

LGEGW50N65SEK.pdf
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 166W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 166W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 137ns
Turn-off time: 331ns
Gate charge: 200nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+161.02 грн
10+141.73 грн
30+131.67 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 14-30 дні (днів)
Мінімальна партія: 3 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис LGEGW50N65SEK LUGUANG ELECTRONIC

Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 166W; TO247, Type of transistor: IGBT, Collector-emitter voltage: 650V, Collector current: 50A, Power dissipation: 166W, Case: TO247, Gate-emitter voltage: ±30V, Mounting: THT, Kind of package: tube, Pulsed collector current: 200A, Turn-on time: 137ns, Turn-off time: 331ns, Gate charge: 200nC, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode.