LGEGW50N65SEU

LGEGW50N65SEU LUGUANG ELECTRONIC


LGEGW50N65SEU.pdf
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 166W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 166W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 137ns
Turn-off time: 331ns
на замовлення 146 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+156.46 грн
10+137.95 грн
30+127.86 грн
120+120.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис LGEGW50N65SEU LUGUANG ELECTRONIC

Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 166W; TO247, Type of transistor: IGBT, Collector-emitter voltage: 650V, Collector current: 50A, Power dissipation: 166W, Case: TO247, Gate-emitter voltage: ±30V, Pulsed collector current: 200A, Mounting: THT, Gate charge: 200nC, Kind of package: tube, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, Turn-on time: 137ns, Turn-off time: 331ns.