LGEGW50N65SEU LUGUANG ELECTRONIC
Виробник: LUGUANG ELECTRONICCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 166W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 166W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 137ns
Turn-off time: 331ns
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 154.33 грн |
| 10+ | 136.07 грн |
| 30+ | 126.12 грн |
| 120+ | 118.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис LGEGW50N65SEU LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 166W; TO247, Type of transistor: IGBT, Collector-emitter voltage: 650V, Collector current: 50A, Power dissipation: 166W, Case: TO247, Gate-emitter voltage: ±30V, Pulsed collector current: 200A, Mounting: THT, Gate charge: 200nC, Kind of package: tube, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, Turn-on time: 137ns, Turn-off time: 331ns, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції LGEGW50N65SEU за ціною від 137.40 грн до 221.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
LGEGW50N65SEU | Виробник : LUGUANG ELECTRONIC |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 166W; TO247 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 166W Case: TO247 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 200A Mounting: THT Gate charge: 200nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-on time: 137ns Turn-off time: 331ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 146 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|