Продукція > LUGUANG ELECTRONIC > LGEGW60N65SEU
LGEGW60N65SEU

LGEGW60N65SEU LUGUANG ELECTRONIC

LGEGW60N65SEU.pdf
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 151W; TO247
Type of transistor: IGBT
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 151W
Gate charge: 0.21µC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 240A
Turn-on time: 123ns
Turn-off time: 256ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+186.55 грн
10+164.99 грн
30+152.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис LGEGW60N65SEU LUGUANG ELECTRONIC

Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 151W; TO247, Type of transistor: IGBT, Case: TO247, Mounting: THT, Kind of package: tube, Power dissipation: 151W, Gate charge: 0.21µC, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, Pulsed collector current: 240A, Turn-on time: 123ns, Turn-off time: 256ns, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 60A, Collector-emitter voltage: 650V.