LGEGW75N65F

LGEGW75N65F LUGUANG ELECTRONIC


LGEGW75N65F.pdf Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 71W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 71W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 161ns
Turn-off time: 274ns
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 300A
на замовлення 115 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+284.22 грн
3+238.02 грн
10+210.46 грн
30+195.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис LGEGW75N65F LUGUANG ELECTRONIC

Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 71W; TO247, Type of transistor: IGBT, Power dissipation: 71W, Case: TO247, Mounting: THT, Gate charge: 192nC, Kind of package: tube, Collector-emitter voltage: 650V, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, Turn-on time: 161ns, Turn-off time: 274ns, Collector current: 75A, Gate-emitter voltage: ±30V, Pulsed collector current: 300A, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції LGEGW75N65F за ціною від 212.47 грн до 341.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
LGEGW75N65F LGEGW75N65F Виробник : LUGUANG ELECTRONIC LGEGW75N65F.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 71W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 71W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 161ns
Turn-off time: 274ns
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 300A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 115 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+341.06 грн
3+296.62 грн
10+252.56 грн
30+234.52 грн
120+219.48 грн
240+212.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.