Продукція > LUGUANG ELECTRONIC > LGEGW75N65FP
LGEGW75N65FP

LGEGW75N65FP LUGUANG ELECTRONIC

LGEGW75N65FP.pdf
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 500W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 500W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 225ns
Turn-on time: 215ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 373 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+288.98 грн
3+242.26 грн
10+212.82 грн
30+198.52 грн
120+185.06 грн
240+180.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис LGEGW75N65FP LUGUANG ELECTRONIC

Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 500W; TO247, Type of transistor: IGBT, Power dissipation: 500W, Case: TO247, Mounting: THT, Gate charge: 130nC, Kind of package: tube, Turn-off time: 225ns, Turn-on time: 215ns, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, Collector current: 75A, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 225A, Collector-emitter voltage: 650V.