Продукція > LUGUANG ELECTRONIC > LGEGW75N65FP
LGEGW75N65FP

LGEGW75N65FP LUGUANG ELECTRONIC

LGEGW75N65FP.pdf
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 500W; TO247
Type of transistor: IGBT
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 225A
Turn-on time: 215ns
Turn-off time: 225ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 500W
Gate charge: 130nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 317 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+292.87 грн
3+245.42 грн
10+216.40 грн
30+201.48 грн
120+188.21 грн
240+182.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис LGEGW75N65FP LUGUANG ELECTRONIC

Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 500W; TO247, Type of transistor: IGBT, Case: TO247, Mounting: THT, Kind of package: tube, Pulsed collector current: 225A, Turn-on time: 215ns, Turn-off time: 225ns, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 75A, Collector-emitter voltage: 650V, Power dissipation: 500W, Gate charge: 130nC, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode.