LGEGW75N65S LUGUANG ELECTRONIC
Виробник: LUGUANG ELECTRONICCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 250W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 340nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±30V
Turn-on time: 156ns
Turn-off time: 348ns
Collector current: 75A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 266.73 грн |
| 3+ | 223.47 грн |
| 10+ | 196.85 грн |
| 30+ | 183.14 грн |
| 120+ | 171.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис LGEGW75N65S LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 250W; TO247, Type of transistor: IGBT, Power dissipation: 250W, Case: TO247, Mounting: THT, Gate charge: 340nC, Kind of package: tube, Pulsed collector current: 300A, Collector-emitter voltage: 650V, Gate-emitter voltage: ±30V, Turn-on time: 156ns, Turn-off time: 348ns, Collector current: 75A, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції LGEGW75N65S за ціною від 202.34 грн до 320.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
LGEGW75N65S | Виробник : LUGUANG ELECTRONIC |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 250W; TO247 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 250W Case: TO247 Mounting: THT Gate charge: 340nC Kind of package: tube Pulsed collector current: 300A Collector-emitter voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±30V Turn-on time: 156ns Turn-off time: 348ns Collector current: 75A Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 148 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|