Продукція > LUGUANG ELECTRONIC > LGEGW75N65S
LGEGW75N65S

LGEGW75N65S LUGUANG ELECTRONIC

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D576AE8BA020DF&compId=LGEGW75N65S.pdf?ci_sign=fb1e9622f07ee67d8300f38c89e2392346fc9694 Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 250W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 340nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 348ns
Turn-on time: 156ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+264.44 грн
3+221.08 грн
6+172.91 грн
15+163.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис LGEGW75N65S LUGUANG ELECTRONIC

Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 250W; TO247, Type of transistor: IGBT, Power dissipation: 250W, Case: TO247, Mounting: THT, Gate charge: 340nC, Kind of package: tube, Turn-off time: 348ns, Turn-on time: 156ns, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, Collector current: 75A, Gate-emitter voltage: ±30V, Pulsed collector current: 300A, Collector-emitter voltage: 650V.