Продукція > LUGUANG ELECTRONIC > LGEGW75N65S
LGEGW75N65S

LGEGW75N65S LUGUANG ELECTRONIC

LGEGW75N65S.pdf
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 250W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 340nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 156ns
Turn-off time: 348ns
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 75A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 300A
на замовлення 53 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+288.07 грн
3+241.26 грн
10+213.32 грн
30+198.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис LGEGW75N65S LUGUANG ELECTRONIC

Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 250W; TO247, Type of transistor: IGBT, Power dissipation: 250W, Case: TO247, Mounting: THT, Gate charge: 340nC, Kind of package: tube, Turn-on time: 156ns, Turn-off time: 348ns, Gate-emitter voltage: ±30V, Collector current: 75A, Collector-emitter voltage: 650V, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, Pulsed collector current: 300A.