Продукція > LUGUANG ELECTRONIC > LGEGW75N65S
LGEGW75N65S

LGEGW75N65S LUGUANG ELECTRONIC

LGEGW75N65S.pdf
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 250W; TO247
Type of transistor: IGBT
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 340nC
Turn-on time: 156ns
Turn-off time: 348ns
Power dissipation: 250W
на замовлення 78 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+289.01 грн
3+242.37 грн
10+213.86 грн
30+199.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис LGEGW75N65S LUGUANG ELECTRONIC

Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 250W; TO247, Type of transistor: IGBT, Case: TO247, Mounting: THT, Kind of package: tube, Collector current: 75A, Gate-emitter voltage: ±30V, Pulsed collector current: 300A, Collector-emitter voltage: 650V, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, Gate charge: 340nC, Turn-on time: 156ns, Turn-off time: 348ns, Power dissipation: 250W.