Продукція > LUGUANG ELECTRONIC > LGEGW75N65S
LGEGW75N65S

LGEGW75N65S LUGUANG ELECTRONIC

LGEGW75N65S.pdf
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 250W; TO247
Type of transistor: IGBT
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 156ns
Turn-off time: 348ns
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 75A
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 250W
Gate charge: 340nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+284.83 грн
3+238.79 грн
10+210.60 грн
30+196.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис LGEGW75N65S LUGUANG ELECTRONIC

Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 250W; TO247, Type of transistor: IGBT, Case: TO247, Mounting: THT, Kind of package: tube, Pulsed collector current: 300A, Turn-on time: 156ns, Turn-off time: 348ns, Gate-emitter voltage: ±30V, Collector current: 75A, Collector-emitter voltage: 650V, Power dissipation: 250W, Gate charge: 340nC, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode.