Технічний опис M25P40VMN6TP ST
Послідовна NOR Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,3...3,6, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 4 Мбіт, Орг. пам. = 512K x 8, Тдост/Частота = 50 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт, кількість в упаковці: 2500 шт.
Інші пропозиції M25P40VMN6TP
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| M25P40-VMN6TP | STMicroelectronics |
Послідовна NOR Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,3...3,6, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 4 Мбіт, Орг. пам. = 512K x 8, Тдост/Частота = 50 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шткількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. |
| M25P40-VMN6TP |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Послідовна NOR Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,3...3,6, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 4 Мбіт, Орг. пам. = 512K x 8, Тдост/Частота = 50 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
Послідовна NOR Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,3...3,6, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 4 Мбіт, Орг. пам. = 512K x 8, Тдост/Частота = 50 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.


