M3004316045NX0PBCY Renesas Electronics Corporation
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: IC RAM 4MBIT PAR 484CABGA
Memory Organization: 256K x 16
Access Time: 45 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Supplier Device Package: 484-CABGA (23x23)
Memory Format: RAM
Technology: MRAM (Magnetoresistive RAM)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 4Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 484-BGA
Packaging: Tray
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис M3004316045NX0PBCY Renesas Electronics Corporation
Description: IC RAM 4MBIT PAR 484CABGA, Memory Organization: 256K x 16, Access Time: 45 ns, Memory Interface: Parallel, Write Cycle Time - Word, Page: 45ns, Supplier Device Package: 484-CABGA (23x23), Memory Format: RAM, Technology: MRAM (Magnetoresistive RAM), Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V, Operating Temperature: -40°C ~ 105°C, Memory Type: Non-Volatile, Memory Size: 4Mbit, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 484-BGA, Packaging: Tray.
Інші пропозиції M3004316045NX0PBCY
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| M3004316045NX0PBCY | Виробник : Renesas Electronics |
MRAM M3004316 MRAM PARALLEL 4MB X16 35NS |
товару немає в наявності |