Технічний опис M93C56BN6 ST
Послідовна пам'ять EEPROM; Uживл, В = 4,5...5,5; Інтерфейс = Послідовний; Об. пам. = 1 Кбіт; Орг. пам. = 256 x 8 або 128 х 16; Тдост/Частота = 2 МГц; Тексп, °С = -40...+85; DIP-8.
Інші пропозиції M93C56BN6
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| M93C56BN6 | Виробник : ST | 00+ DIP |
на замовлення 540 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| M93C56-BN6 | Виробник : STMicroelectronics | Послідовна пам'ять EEPROM; Uживл, В = 4,5...5,5; Інтерфейс = Послідовний; Об. пам. = 1 Кбіт; Орг. пам. = 256 x 8 або 128 х 16; Тдост/Частота = 2 МГц; Тексп, °С = -40...+85; DIP-8 |
на замовлення 33 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
||
 |
M93C56-BN6 | Виробник : STMicroelectronics |
 EEPROM 2K (256x8 or 128x16) |
товару немає в наявності |