Продукція > IXYS > MCB20P1200LB-TUB
MCB20P1200LB-TUB

MCB20P1200LB-TUB IXYS


Littelfuse_Power_Semiconductors_MCB20P1200LB_Datasheet.pdf
Виробник: IXYS
MOSFET Modules SiC MOSFET phaseleg 80mO SMPD-B
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MCB20P1200LB-TUB IXYS

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25.5A; SMPD-B, Kind of channel: enhancement, Case: SMPD-B, Type of transistor: N-MOSFET, Kind of package: tube, Technology: SiC, Mounting: SMD, Polarisation: unipolar, Gate-source voltage: -5...20V, Gate charge: 62nC, On-state resistance: 98mΩ, Drain current: 25.5A, Drain-source voltage: 1.2kV, Semiconductor structure: double series.

Інші пропозиції MCB20P1200LB-TUB

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MCB20P1200LB-TUB MCB20P1200LB-TUB Виробник : IXYS MCB20P1200LB.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25.5A; SMPD-B
Kind of channel: enhancement
Case: SMPD-B
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Technology: SiC
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...20V
Gate charge: 62nC
On-state resistance: 98mΩ
Drain current: 25.5A
Drain-source voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: double series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.