Продукція > YANGJIE TECHNOLOGY > MG100HF12LEC1
MG100HF12LEC1

MG100HF12LEC1 Yangjie Technology


Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - IGBTs - Modules C1
NTC Thermistor: No
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.7 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Power - Max: 675 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Part Status: Active
IGBT Type: NPT
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 100A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Configuration: Single Switch
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+3215.21 грн
50+2924.11 грн
100+2752.17 грн
200+2421.38 грн
400+2179.20 грн
1000+2017.77 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MG100HF12LEC1 Yangjie Technology

Description: Transistors - IGBTs - Modules C1, NTC Thermistor: No, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.7 nF @ 25 V, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA, Power - Max: 675 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 A, Part Status: Active, IGBT Type: NPT, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 100A, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ), Configuration: Single Switch, Input: Standard, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: Module, Packaging: Bulk.