MG100HF12LEC1

MG100HF12LEC1 Yangjie Technology


Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - IGBTs - Modules C1
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 675 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.7 nF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+2947.49 грн
50+ 2680.63 грн
100+ 2523 грн
200+ 2219.75 грн
400+ 1997.74 грн
1000+ 1849.75 грн
Мінімальне замовлення: 10
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MG100HF12LEC1 Yangjie Technology

Description: Transistors - IGBTs - Modules C1, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single Switch, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 100A, NTC Thermistor: No, IGBT Type: NPT, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 675 W, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.7 nF @ 25 V.