Продукція > EVVO > MJD122
MJD122

MJD122 EVVO

MJD122.pdf Виробник: EVVO
Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: TO-252-2L
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+29.93 грн
12+ 24.91 грн
100+ 17.34 грн
500+ 12.7 грн
1000+ 10.32 грн
Мінімальне замовлення: 10
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD122 EVVO

Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Darlington, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V, Supplier Device Package: TO-252-2L, Current - Collector (Ic) (Max): 8 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 1.5 W.

Інші пропозиції MJD122 за ціною від 7.01 грн до 7.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MJD122 Виробник : YFW MJD122.pdf darl.NPN 5A 100V 20W MJD122 TO252 LGE TMJD122 lge
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+7.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
MJD122 (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 23955 		Транзистори > Біполярні NPN
товар відсутній
MJD122 MJD122 Виробник : EVVO MJD122.pdf Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: TO-252-2L
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
товар відсутній
MJD122 MJD122 Виробник : onsemi MJD122_D-2315626.pdf Darlington Transistors 8A 100V Bipolar
товар відсутній