Продукція > ONSEMI > MJD350T4G
MJD350T4G

MJD350T4G ONSEMI

ONSM-S-A0013307543-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD350T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 6940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+32.57 грн
500+ 25.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD350T4G ONSEMI

Description: ONSEMI - MJD350T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: MJxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 10MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції MJD350T4G за ціною від 16.28 грн до 62.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MJD350T4G MJD350T4G Виробник : ON Semiconductor mjd340-d.pdf Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
235+49.82 грн
248+ 47.15 грн
341+ 34.31 грн
344+ 32.74 грн
500+ 25.66 грн
1000+ 17.53 грн
Мінімальне замовлення: 235
MJD350T4G MJD350T4G Виробник : onsemi mjd340-d.pdf Description: TRANS PNP 300V 0.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+51.87 грн
10+ 43.08 грн
100+ 29.84 грн
Мінімальне замовлення: 6
MJD350T4G MJD350T4G Виробник : ON Semiconductor mjd340-d.pdf Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+54.28 грн
13+ 46.26 грн
25+ 43.79 грн
100+ 30.72 грн
250+ 28.15 грн
500+ 22.87 грн
1000+ 16.28 грн
Мінімальне замовлення: 11
MJD350T4G MJD350T4G Виробник : onsemi MJD340_D-2315932.pdf Bipolar Transistors - BJT 0.5A 300V 15W PNP
на замовлення 3580 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+55.63 грн
10+ 46.95 грн
100+ 28.44 грн
500+ 23.84 грн
1000+ 20.24 грн
2500+ 18.25 грн
5000+ 18.11 грн
Мінімальне замовлення: 6
MJD350T4G MJD350T4G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013307543-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJD350T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 6940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+62.38 грн
15+ 51.17 грн
100+ 32.57 грн
500+ 25.32 грн
Мінімальне замовлення: 12
MJD350T4G (транзистор біполярний NPN) MJD350T4G (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 37901 		Виробник : ON mjd340-d-112116.pdf Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: D-Pak
fT: 10 MHz
Uceo,V: 300 V
Ucbo,V: 300 V
Ic,A: 0,5 A
товар відсутній
MJD350T4G MJD350T4G Виробник : ON Semiconductor mjd340-d.pdf Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
MJD350T4G MJD350T4G Виробник : ON Semiconductor mjd340-d.pdf Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
MJD350T4G Виробник : ONSEMI MJD340G.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 15W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 30...240
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 10MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
MJD350T4G MJD350T4G Виробник : onsemi mjd340-d.pdf Description: TRANS PNP 300V 0.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 15 W
товар відсутній
MJD350T4G Виробник : ONSEMI MJD340G.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 15W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 30...240
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 10MHz
товар відсутній