на замовлення 621 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 82+ | 3.77 грн |
| 860+ | 1.31 грн |
| 2360+ | 1.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBTRC103SS DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: BIASED BJT SOT-23 NPN 22000OHM, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Frequency - Transition: 200 MHz, Resistor - Base (R1): 22 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms, Resistors Included: R1 and R2.
Інші пропозиції MMBTRC103SS
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
MMBTRC103SS | Виробник : Diotec Semiconductor |
Description: BIASED BJT SOT-23 NPN 22000OHMPackaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
товару немає в наявності |

