MMFTN3479KW

MMFTN3479KW DIOTEC SEMICONDUCTOR


Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.5A; Idm: 14A; 0.9W; SOT323
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.5A
On-state resistance: 95mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.9W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 2.8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 14A
Mounting: SMD
Case: SOT323
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMFTN3479KW DIOTEC SEMICONDUCTOR

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.5A; Idm: 14A; 0.9W; SOT323, Kind of package: reel; tape, Drain-source voltage: 20V, Drain current: 3.5A, On-state resistance: 95mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 0.9W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 2.8nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±12V, Pulsed drain current: 14A, Mounting: SMD, Case: SOT323, кількість в упаковці: 5 шт.

Інші пропозиції MMFTN3479KW

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MMFTN3479KW MMFTN3479KW Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.5A; Idm: 14A; 0.9W; SOT323
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.5A
On-state resistance: 95mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.9W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 2.8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 14A
Mounting: SMD
Case: SOT323
товар відсутній