MMFTN620KD DIOTEC SEMICONDUCTOR


mmftn620kd.pdf Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
MMFTN620KD-DIO SMD N channel transistors
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMFTN620KD DIOTEC SEMICONDUCTOR

Description: IC, Packaging: Bulk, Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 500mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 500mA, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-26.

Інші пропозиції MMFTN620KD

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMFTN620KD MMFTN620KD Виробник : Diotec Semiconductor mmftn620kd.pdf Description: IC
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.