MNS1N4568DUR-1/TR Microchip Technology
Виробник: Microchip Technology
Description: TEMPERATURE COMPENSATED
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 3 V
Power - Max: 500 mW
Supplier Device Package: DO-213AA
Impedance (Max) (Zzt): 200 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.4 V
Operating Temperature: 0°C ~ 75°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AA
Tolerance: ±5%
Packaging: Bulk
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MNS1N4568DUR-1/TR Microchip Technology
Description: TEMPERATURE COMPENSATED, Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 3 V, Power - Max: 500 mW, Supplier Device Package: DO-213AA, Impedance (Max) (Zzt): 200 Ohms, Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.4 V, Operating Temperature: 0°C ~ 75°C, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: DO-213AA, Tolerance: ±5%, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції MNS1N4568DUR-1/TR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| MNS1N4568DUR-1/TR | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| MNS1N4568DUR-1/TR |
Виробник: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT
Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.