
MPIM900H212TG5 MULTICOMP PRO
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - MPIM900H212TG5 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 900 A, 1.75 V, 4.23 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 5 [Trench]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
Dauer-Kollektorstrom: 900A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: 4.23kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.23kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 900A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: MULTICOMP PRO - MPIM900H212TG5 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 900 A, 1.75 V, 4.23 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 5 [Trench]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
Dauer-Kollektorstrom: 900A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: 4.23kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.23kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 900A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 20603.22 грн |
2+ | 20448.06 грн |
3+ | 20293.73 грн |
5+ | 18700.11 грн |
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Технічний опис MPIM900H212TG5 MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - MPIM900H212TG5 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 900 A, 1.75 V, 4.23 kW, 150 °C, Modul, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 5 [Trench], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V, Dauer-Kollektorstrom: 900A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Lötanschluss, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V, Verlustleistung Pd: 4.23kW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 4.23kW, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Anzahl der Pins: 10Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Halbbrücke, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 900A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.