Продукція > NXP USA INC. > MRF7S21110HSR5
MRF7S21110HSR5

MRF7S21110HSR5 NXP USA Inc.

MRF7S21110H.pdf
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780
Current - Test: 1.1 A
Voltage - Test: 28 V
Voltage - Rated: 65 V
Supplier Device Package: NI-780S
Technology: LDMOS
Gain: 17.3dB
Power - Output: 33W
Frequency: 2.17GHz
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: NI-780S
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MRF7S21110HSR5 NXP USA Inc.

Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780, Current - Test: 1.1 A, Voltage - Test: 28 V, Voltage - Rated: 65 V, Supplier Device Package: NI-780S, Technology: LDMOS, Gain: 17.3dB, Power - Output: 33W, Frequency: 2.17GHz, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: NI-780S, Packaging: Tape & Reel (TR).