MRF8HP21130HSR3 NXP Semiconductors


6557041391520mrf8hp21130h.pdf Виробник: NXP Semiconductors
Trans RF MOSFET N-CH 65V 5-Pin Case 465H-02 T/R
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MRF8HP21130HSR3 NXP Semiconductors

Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: NI-780S-4L, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 2.17GHz, Configuration: Dual, Power - Output: 28W, Gain: 14dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: NI-780S-4L, Voltage - Rated: 65 V, Voltage - Test: 28 V, Current - Test: 360 mA.

Інші пропозиції MRF8HP21130HSR3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MRF8HP21130HSR3 MRF8HP21130HSR3 Виробник : NXP Semiconductors 6557041391520mrf8hp21130h.pdf Trans RF MOSFET N-CH 65V 5-Pin Case 465H-02 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MRF8HP21130HSR3 MRF8HP21130HSR3 Виробник : NXP USA Inc. Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: NI-780S-4L
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.17GHz
Configuration: Dual
Power - Output: 28W
Gain: 14dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-780S-4L
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 360 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.