Продукція > NXP USA INC. > MRF8P23160WHSR3

MRF8P23160WHSR3 NXP USA Inc.

MRF8P23160WH(S)R3.pdf
Виробник: NXP USA Inc.
Description: FET RF 2CH 65V 2.32GHZ NI780-4
Current - Test: 600 mA
Voltage - Test: 28 V
Voltage - Rated: 65 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: NI-780-4
Technology: MOSFET
Gain: 14.1dB
Power - Output: 30W
Configuration: N-Channel
Frequency: 2.32GHz
Package / Case: NI-780-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MRF8P23160WHSR3 NXP USA Inc.

Description: FET RF 2CH 65V 2.32GHZ NI780-4, Current - Test: 600 mA, Voltage - Test: 28 V, Voltage - Rated: 65 V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: NI-780-4, Technology: MOSFET, Gain: 14.1dB, Power - Output: 30W, Configuration: N-Channel, Frequency: 2.32GHz, Package / Case: NI-780-4, Packaging: Tape & Reel (TR).