Продукція > NXP USA INC. > MRFE6S9160HR5
MRFE6S9160HR5

MRFE6S9160HR5 NXP USA Inc.

MRFE6S9160HR3H(S)R3.pdf
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780
Current - Test: 1.2 A
Voltage - Test: 28 V
Voltage - Rated: 66 V
Supplier Device Package: NI-780H-2L
Technology: LDMOS
Gain: 21dB
Power - Output: 35W
Frequency: 880MHz
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-957A
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MRFE6S9160HR5 NXP USA Inc.

Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780, Current - Test: 1.2 A, Voltage - Test: 28 V, Voltage - Rated: 66 V, Supplier Device Package: NI-780H-2L, Technology: LDMOS, Gain: 21dB, Power - Output: 35W, Frequency: 880MHz, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: SOT-957A, Packaging: Tape & Reel (TR).