Продукція > MICROCHIP > MSC080SMB120B4N
MSC080SMB120B4N

MSC080SMB120B4N MICROCHIP

MSC080SMB120B4N-SiC-MOSFET-Datasheet.pdf Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - MSC080SMB120B4N - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.107 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 161W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: mSiC Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+496.25 грн
25+476.77 грн
100+457.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MSC080SMB120B4N MICROCHIP

Description: MICROCHIP - MSC080SMB120B4N - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.107 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 161W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: mSiC Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).