MSC080SMB120Q MICROCHIP
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - MSC080SMB120Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.112 ohm, QDPAK-EP
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: TBA
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 168W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: QDPAK-EP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: mSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm
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Технічний опис MSC080SMB120Q MICROCHIP
Description: MICROCHIP - MSC080SMB120Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.112 ohm, QDPAK-EP, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: TBA, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 168W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: QDPAK-EP, Anzahl der Pins: 22Pin(s), Produktpalette: mSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm.

