MSC2X31SDA120J

MSC2X31SDA120J Microchip Technology


Виробник: Microchip Technology
Description: SIC SBD 1200 V 30 A DUAL PARALLE
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: SOT-227 (ISOTOP®)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+3398.48 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MSC2X31SDA120J Microchip Technology

Description: SIC SBD 1200 V 30 A DUAL PARALLE, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 2 Independent, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A, Supplier Device Package: SOT-227 (ISOTOP®), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V.

Інші пропозиції MSC2X31SDA120J

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MSC2X31SDA120J Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) MSC2X31SDA120J Diode modules
товар відсутній