MSR2N3700UB/TR Microchip Technology
Виробник: Microchip Technology
Description: RH SMALL-SIGNAL BJT
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: UB
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSR2N3700UB/TR Microchip Technology
Description: RH SMALL-SIGNAL BJT, Power - Max: 500 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Supplier Device Package: UB, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 10nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 3-SMD, No Lead, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції MSR2N3700UB/TR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| MSR2N3700UB/TR | Microchip Technology |
 Bipolar Transistors - BJT RH Small-Signal BJT |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| MSR2N3700UB/TR |
|
Виробник: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT RH Small-Signal BJT
Bipolar Transistors - BJT RH Small-Signal BJT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.