MT29C4G48MAZBBAKS-48 IT. MICRON
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT29C4G48MAZBBAKS-48 IT. - MASSFLASH/MOBILEDDR6G, TRAY, SPECIAL FUN
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Surface Mount
Flash-Speicher: NAND with Mobile LPDDR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 4Gbit
usEccn: 3A991
Zugriffszeit: 22ns
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 208MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 137Pin(s)
Produktpalette: 1.8V NAND with Mobile LPDDR Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 1.95V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512M x 8bit
directShipCharge: 25
SVHC: To Be Advised
Description: MICRON - MT29C4G48MAZBBAKS-48 IT. - MASSFLASH/MOBILEDDR6G, TRAY, SPECIAL FUN
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Surface Mount
Flash-Speicher: NAND with Mobile LPDDR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 4Gbit
usEccn: 3A991
Zugriffszeit: 22ns
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 208MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 137Pin(s)
Produktpalette: 1.8V NAND with Mobile LPDDR Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 1.95V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512M x 8bit
directShipCharge: 25
SVHC: To Be Advised
на замовлення 598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1240.71 грн |
| 10+ | 1149.32 грн |
| 25+ | 1133.68 грн |
| 50+ | 982.37 грн |
| 100+ | 841.17 грн |
| 250+ | 804.48 грн |
| 500+ | 802.36 грн |
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Технічний опис MT29C4G48MAZBBAKS-48 IT. MICRON
Description: MICRON - MT29C4G48MAZBBAKS-48 IT. - MASSFLASH/MOBILEDDR6G, TRAY, SPECIAL FUN, tariffCode: 85423290, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Surface Mount, Flash-Speicher: NAND with Mobile LPDDR, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA, Speicherdichte: 4Gbit, usEccn: 3A991, Zugriffszeit: 22ns, Versorgungsspannung, nom.: 1.8V, Taktfrequenz, max.: 208MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 1.7V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 137Pin(s), Produktpalette: 1.8V NAND with Mobile LPDDR Flash Memories, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 1.95V, Schnittstellen: Parallel, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 512M x 8bit, directShipCharge: 25, SVHC: To Be Advised.