MXP120A080FW-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - MXP120A080FW-GE3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 29 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247AD
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TO-247AD
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 750.02 грн |
| 5+ | 673.46 грн |
| 10+ | 594.42 грн |
| 50+ | 524.44 грн |
| 100+ | 458.69 грн |
| 250+ | 443.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MXP120A080FW-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - MXP120A080FW-GE3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 29 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247AD, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 29A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 139W, Bauform - Transistor: TO-247AD, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MXP120A080FW-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| MXP120A080FW-GE3 | Виробник : VISHAY | MXP120A080FW-GE3 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |