
N0601N-ZK-E1-AY Renesas Electronics America Inc

Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 156W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7730 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
800+ | 141.38 грн |
1600+ | 112.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис N0601N-ZK-E1-AY Renesas Electronics America Inc
Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 156W (Tc), Supplier Device Package: TO-263, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7730 pF @ 25 V.
Інші пропозиції N0601N-ZK-E1-AY за ціною від 87.34 грн до 261.15 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
N0601N-ZK-E1-AY | Виробник : Renesas Electronics |
![]() |
на замовлення 740 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|