Продукція > NOVUSEM > NC1M120C12WCNG
NC1M120C12WCNG

NC1M120C12WCNG NovuSem

NC1M120C12WCNG.pdf
Виробник: NovuSem
Description: SiC MOS Wafer 12mOhm 1200V
Packaging: Tray
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 214A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
на замовлення 2180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
218+3303.12 грн
Мінімальне замовлення: 218
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NC1M120C12WCNG NovuSem

Description: SiC MOS Wafer 12mOhm 1200V, Packaging: Tray, Technology: SiCFET (Silicon Carbide), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 214A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V.