NC1M120C12WCNG NovuSem
Виробник: NovuSem
Description: SiC MOS Wafer 12mOhm 1200V
Packaging: Tray
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 214A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Description: SiC MOS Wafer 12mOhm 1200V
Packaging: Tray
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 214A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
на замовлення 2180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 218+ | 2788.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NC1M120C12WCNG NovuSem
Description: SiC MOS Wafer 12mOhm 1200V, Packaging: Tray, Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 214A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V.