Продукція > NOVUSEM > NC1M120C40HTNG
NC1M120C40HTNG

NC1M120C40HTNG NovuSem

NC1M120C40HTNG_prod.pdf Виробник: NovuSem
Description: SiC MOSFET N 1200V 40mohm 75A 4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 366W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2534 pF @ 1000 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+1918.14 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NC1M120C40HTNG NovuSem

Description: SiC MOSFET N 1200V 40mohm 75A 4, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 35A, 20V, Power Dissipation (Max): 366W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 10mA, Supplier Device Package: TO-247-4L, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +20V, -5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2534 pF @ 1000 V.