Продукція > RENESAS ELECTRONICS CORPORATION > NE3513M04-T2B-A
NE3513M04-T2B-A

NE3513M04-T2B-A Renesas Electronics Corporation

RNCCS08071-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V 4MMOLD
Current - Test: 10 mA
Voltage - Test: 2 V
Voltage - Rated: 4 V
Supplier Device Package: 4-Super Mini Mold
Noise Figure: 0.65dB
Technology: GaAs HJ-FET
Gain: 13dB
Power - Output: 125mW
Configuration: N-Channel
Frequency: 12GHz
Current Rating (Amps): 60mA
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Packaging: Bulk
на замовлення 4755000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
310+73.11 грн
Мінімальне замовлення: 310 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NE3513M04-T2B-A Renesas Electronics Corporation

Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V 4MMOLD, Current - Test: 10 mA, Voltage - Test: 2 V, Voltage - Rated: 4 V, Supplier Device Package: 4-Super Mini Mold, Noise Figure: 0.65dB, Technology: GaAs HJ-FET, Gain: 13dB, Power - Output: 125mW, Configuration: N-Channel, Frequency: 12GHz, Current Rating (Amps): 60mA, Package / Case: 4-SMD, Flat Leads, Packaging: Bulk.