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NGTB40N60L2WG.

NGTB40N60L2WG. ONSEMI

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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NGTB40N60L2WG. - IGBT, 80 A, 2 V, 417 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Verlustleistung: 417
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2
Kollektorstrom: 80
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
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Технічний опис NGTB40N60L2WG. ONSEMI

Description: ONSEMI - NGTB40N60L2WG. - IGBT, 80 A, 2 V, 417 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s), Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600, Verlustleistung: 417, Anzahl der Pins: 3, Bauform - Transistor: TO-247, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2, Kollektorstrom: 80, Betriebstemperatur, max.: 175, Produktpalette: -, SVHC: No SVHC (25-Jun-2020).