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NGTB60N65FL2WG.

NGTB60N65FL2WG. ONSEMI

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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NGTB60N65FL2WG. - IGBT, 100 A, 1.64 V, 595 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 595
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.64
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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Технічний опис NGTB60N65FL2WG. ONSEMI

Description: ONSEMI - NGTB60N65FL2WG. - IGBT, 100 A, 1.64 V, 595 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s), Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650, Verlustleistung: 595, Anzahl der Pins: 3, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100, Bauform - Transistor: TO-247, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.64, Betriebstemperatur, max.: 175, Produktpalette: -, SVHC: No SVHC (19-Jan-2021).