Продукція > ONSEMI > NSBA123YMXWTBG
NSBA123YMXWTBG

NSBA123YMXWTBG onsemi

NSBAMXW-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: BIAS RESISTOR TRANSISTORS (BRT)
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 450 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+14.94 грн
31+9.84 грн
35+8.66 грн
100+6.96 грн
250+6.39 грн
500+6.05 грн
1000+5.67 грн
2500+5.38 грн
5000+5.21 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSBA123YMXWTBG onsemi

Description: BIAS RESISTOR TRANSISTORS (BRT), Packaging: Bulk, Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1), Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 450 mW, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, Resistors Included: R1 and R2.