NTE221 NTE Electronics, Inc
Виробник: NTE Electronics, IncDescription: MOSFET N-CH VHF AMP/MIX
Packaging: Bag
Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Current Rating (Amps): 18mA
Mounting Type: Through Hole
Configuration: N-Channel
Gain: 20dB
Technology: MOSFET
Noise Figure: 5dB
Supplier Device Package: TO-72
Part Status: Active
Voltage - Rated: 20 V
Voltage - Test: 13 V
Current - Test: 10 mA
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 967.75 грн |
| 10+ | 885.28 грн |
| 20+ | 838.64 грн |
| 50+ | 743.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTE221 NTE Electronics, Inc
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 20V; 18mA; 400mW; TO72; THT; ESD, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Kind of transistor: RF, Drain-source voltage: 20V, Drain current: 18mA, Power dissipation: 0.4W, Case: TO72, Kind of channel: depletion, Electrical mounting: THT, Version: ESD, Features of semiconductor devices: dual gate, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції NTE221 за ціною від 716.33 грн до 1182.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTE221 | Виробник : NTE Electronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 20V; 18mA; 400mW; TO72; THT; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: RF Drain-source voltage: 20V Drain current: 18mA Power dissipation: 0.4W Case: TO72 Kind of channel: depletion Electrical mounting: THT Version: ESD Features of semiconductor devices: dual gate |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
NTE221 | Виробник : NTE Electronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 20V; 18mA; 400mW; TO72; THT; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: RF Drain-source voltage: 20V Drain current: 18mA Power dissipation: 0.4W Case: TO72 Kind of channel: depletion Electrical mounting: THT Version: ESD Features of semiconductor devices: dual gate кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|